[发明专利]一种绝缘介质层刻蚀方法及金属层导通连接方法

摘要

本发明涉及一种绝缘介质层刻蚀方法及金属层导通连接方法，利用气相沉积法中沉积物在不同介质上表面沉积速率不同原理，合理选用用于气相沉积的反应气体，使之满足在金属层上表面的沉积速率大于绝缘介质层上表面的沉积速率，使晶元上表面生成的阻挡层在金属介质层上表面的厚度大于绝缘介质层上表面的厚度，从而在对晶元上表面的绝缘介质层进行等离子体刻蚀中，能够利用金属介质层上表面与绝缘介质层上表面阻挡层的厚度差，有效保护晶元上表面的金属层免受刻蚀，避免金属飞溅导致等离子体刻蚀反应腔受金属污染，提高等离子体刻蚀反应腔的稳定性，且整个流程均可在等离子体刻蚀反应腔中进行，无需光罩，简化了工艺流程，降低了工艺成本。

主权项

1.一种绝缘介质层刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤11，向等离子体刻蚀反应腔中通入用于气相沉积的反应气体，其中，所述反应气体满足在金属层上表面的沉积速率大于绝缘介质层上表面的沉积速率，使晶圆上表面生成的阻挡层在金属介质层上表面的厚度大于绝缘介质层上表面的厚度；通过气相沉积法，在第一晶圆(1)的上表面生成第一阻挡层(13)；其中，所述第一晶圆(1)包括第一绝缘介质层(11)和第一金属层(12)，所述第一晶圆(1)的上表面包括第一绝缘介质层(11)的上表面和第一金属层(12)的上表面；步骤12，对第一晶圆(1)进行等离子体刻蚀，并采集第一金属层(12)对应的第一晶圆(1)的上表面的第一光谱信号，根据第一光谱信号的变化情况判断是否刻蚀到第一金属层(12)的上表面；如果刻蚀到第一金属层(12)的上表面时，第一绝缘介质层(11)未刻蚀到预设深度，则返回执行步骤11；步骤13，循环执行步骤11和步骤12，至第一绝缘介质层(11)刻蚀到预设深度时，如果第一金属层(12)的上表面残留有第一阻挡层(13)，则去除残留的第一阻挡层(13)，并结束操作；反之，直接结束操作。