[发明专利]一种电控太赫兹幅度调制器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种电控太赫兹幅度调制器，由半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底两侧分别设有太赫兹光电导天线和电磁谐振单元阵列构成，太赫兹光电导天线由两个T形电极呈镜像对称分布构成；每个T形电极的横轴部分为外电极，纵轴部分为内电极，所述内电极的头端与外电极衔接；两个内电极末端处间距为50μm；电磁谐振单元阵列为周期性T形电磁谐振单元阵列，T形电磁谐振单元具有轴对称结构，阵列周期为100μm。本发明利用现有的半导体微加工工艺，制备工艺简单、操作方便，可以精确控制互补型开口谐振环微结构加工区域，大大降低了成本。采用Au/Ti电极成分简单，无需退火既可获得良好欧姆接触，提高的器件的可靠性和可集成性。

主权项

1.一种电控太赫兹幅度调制器，由半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底两侧分别设有太赫兹光电导天线和电磁谐振单元阵列构成，其特征在于：所述半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底的厚度为625μm，尺寸1cm×1cm；所述太赫兹光电导天线由两个T形电极呈镜像对称分布构成；每个T形电极的横轴部分为外电极，纵轴部分为内电极，所述内电极的头端与外电极衔接；两个内电极末端处间距为50μm；所述T形电极的外电极长10mm、宽2mm；所述T形电极的内电极的长度为2.975mm，所述内电极的末端呈等腰直角三角形且在直角处设有45°的倒角，所述电磁谐振单元阵列为周期性T形电磁谐振单元阵列，所述T形电磁谐振单元具有轴对称结构，阵列周期为100μm；每个T形电磁谐振单元形成在100μm×100μm的矩形区域上，每个T形电磁谐振单元的横轴长36μm、宽6μm；每个T形电磁谐振单元的纵轴长30μm、宽6μm；纵轴的中心线与100μm×100μm矩形区域的中心线重合，所述太赫兹光电导天线和周期性T形电磁谐振单元阵列均由5nm厚的钛金属层和120nm厚的黄金层构成。