[发明专利]一种提高硅粉导电性的方法在审

专利信息
申请号: 201610388118.5 申请日: 2016-06-06
公开(公告)号: CN105932267A 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 岳之浩;周浪;黄海宾;汤昊;尹传强;高超 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
代理公司: 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 代理人: 施秀瑾
地址: 330031 江西省*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种提高硅粉导电性的方法,包括如下步骤:依次采用丙酮和水溶液对p型/n型硅粉原料进行清洗;然后将清洗后的p型/n型硅粉置于含三族/五族元素的溶液中搅拌混合,接着对混合后的p型/n型硅粉进行抽滤、烘干;最后在保护气氛下对上述混合后的p型/n型硅粉进行热处理,目的是使三族/五族元素扩散进入硅中以起到掺杂的作用,从而提高硅粉的导电性。本发明工艺简单、成本低廉、硅粉导电性可控,非常适合大规模产业化生产,有望在锂离子电池、光电材料及传感器等领域得到很好的实际应用。
搜索关键词: 一种 提高 导电性 方法
【主权项】:
一种提高硅粉导电性的方法,其特征是包括如下步骤:(1)依次采用丙酮和水溶液对p型硅粉原料进行清洗;(2)然后将清洗后的p型硅粉置于含三族元素的溶液中搅拌混合,接着对混合后的p型硅粉进行抽滤、烘干;(3)最后在保护气氛下对上述混合后的p型硅粉进行热处理。
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