[发明专利]一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610388193.1 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106025066B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;周振宇;赵建辉;张园园 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 白海静 |
| 地址： | 071002 河北省保*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器，其是在高导Si衬底上制有SiO2隧穿层，并在所述SiO2隧穿层上制有TiN电极膜层。并且，本发明还公开了该阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：A、将高导Si衬底进行清洗处理并吹干，备用；B、将备用的高导Si衬底放入热氧化生长炉中并通入氧气，于600±5℃条件下退火分钟，形成SiO2隧穿层；C、在形成的SiO2隧穿层上溅射TiN电极膜层。本发明的存储器的高、低阻态阻值分布集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大。而且，该阻变存储器具有明显的开关效应，再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二氧化硅 隧道 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器，其特征是，其是在高导Si衬底上制有SiO2隧穿层，并在所述SiO2隧穿层上制有TiN电极膜层；其中，所述SiO2隧穿层是通过热氧化生长工艺制成，所述热氧化生长工艺的温度条件是600±5℃；所述SiO2隧穿层厚度为3nm~5nm。
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