[发明专利]利用碳纳米场效应晶体管实现的三值静态随机存储单元

摘要

本发明公开了一种利用碳纳米场效应晶体管实现的三值静态随机存储单元，包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管和第十二CNFET管；第一CNFET管、第二CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第七CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管和第十一CNFET管为N型CNFET管，第三CNFET管、第六CNFET管、第八CNFET管和第十二CNFET管为P型CNFET管；优点是读写速度快、读出数据的稳定性较高，布线面积较小，功耗较低，且存储容量较大。

主权项

1.一种利用碳纳米场效应晶体管实现的三值静态随机存储单元，其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管和第十二CNFET管；所述的第一CNFET管、所述的第二CNFET管、所述的第四CNFET管、所述的第五CNFET管、所述的第七CNFET管、所述的第九CNFET管、所述的第十CNFET管和所述的第十一CNFET管为N型CNFET管，所述的第三CNFET管、所述的第六CNFET管、所述的第八CNFET管和所述的第十二CNFET管为P型CNFET管；所述的第一CNFET管的源极、所述的第七CNFET管的源极所述的第九CNFET管的源极接地；所述的第一CNFET管的漏极和所述的第二CNFET管的源极连接，所述的第一CNFET管的栅极为所述的三值静态随机存储单元的反相写控制信号输入端，用于输入写控制信号的反相信号；所述的第二CNFET管的漏极、所述的第三CNFET管的漏极、所述的第四CNFET管的源极、所述的第七CNFET管的栅极、所述的第六CNFET管的栅极和所述的第十CNFET管的漏极连接；所述的第二CNFET管的栅极、所述的第三CNFET管的栅极、所述的第五CNFET管的源极、所述的第六CNFET管的漏极、所述的第七CNFET管的漏极、所述的第八CNFET管的栅极和所述的第九CNFET管的栅极连接，所述的第三CNFET管的源极、所述的第四CNFET管的栅极、所述的第五CNFET管的栅极、所述的第六CNFET管的源极和所述的第八CNFET管的源极均接入第一电源；所述的第四CNFET管的漏极和所述的第五CNFET管的漏极接入第二电源，所述的第二电源为所述的第一电源的一半；所述的第八CNFET管的漏极、所述的第九CNFET管的漏极、所述的第十一CNFET管的漏极和所述的第十二CNFET管的漏极连接，所述的第十CNFET管的栅极为所述的三值静态随机存储单元的写控制信号输入端，所述的三值静态随机存储单元的写控制信号输入端用于接入写控制信号；所述的第十CNFET管的源极、所述的第十一CNFET管的源极和所述的第十二CNFET管的源极连接且其连接线为三值静态随机存储单元的位线；所述的第十一CNFET管的栅极为所述的三值静态随机存储单元的读控制信号输入端，所述的三值静态随机存储单元的读控制信号输入端用于接入读控制信号，所述的第十二CNFET管的栅极为所述的三值静态随机存储单元的反相读控制信号输入端，所述的三值静态随机存储单元的反相读控制信号输入端用于接入读控制信号的反相信号。