[发明专利]一种HDI板快速蚀刻组合添加剂有效
| 申请号： | 201610388559.5 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105957809B | 公开（公告）日： | 2018-10-30 |
| 发明（设计）人： | 詹有根;徐永和;余军龙;高云芳;潘青 | 申请（专利权）人： | 浙江振有电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京驰纳智财知识产权代理事务所(普通合伙) 11367 | 代理人： | 孙海波;郭平平 |
| 地址： | 311301*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种HDI板快速蚀刻组合添加剂，包括缓蚀剂和刻蚀加速颗粒；所述缓蚀剂的质量百分比为10～30％，所述蚀刻加速颗粒的质量百分比为70～90％；所述蚀刻加速颗粒最小粒径为最小刻蚀宽度的1/10～1/5。所述蚀刻加速颗粒选择亲水、多孔材料或经过亲水、扩孔改性。本发明提供的HDI板快速蚀刻组合添加剂，所述缓蚀剂在金属表面形成缓蚀保护层，所述蚀刻加速颗粒用于打破蚀刻底面的缓蚀保护层，使蚀刻液与蚀刻表面接触，同时，所述蚀刻加速颗粒的亲水性及丰富的孔结构，能加速蚀刻液通过快速达到蚀刻底部表面，并且，蚀刻液能更多地达到蚀刻表面底部表面。本发明提供的HDI板快速蚀刻组合添加剂能有效防止侧蚀的发生，并且能够达到快速蚀刻的目的，快速蚀刻底面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hdi 快速 蚀刻 组合 添加剂 | ||
【主权项】：
1.一种HDI板快速蚀刻组合添加剂，包括缓蚀剂和蚀刻加速颗粒；所述缓蚀剂的质量百分比为10～30％，所述蚀刻加速颗粒的质量百分比为70～90％；所述蚀刻加速颗粒最小粒径为最小蚀刻宽度的1/10～1/5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
