[发明专利]一种新型屏蔽结构及其设计方法有效
| 申请号： | 201610388904.5 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106102427B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 潘东华;李立毅;孙芝茵;李吉;曹沁婕;林生鑫 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 范光晔 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种新型屏蔽结构及其设计方法。主要解决了现有技术方案造价昂贵，屏蔽效果不理想的问题。其构造为闭合线圈同轴单轴排列，由闭合线圈构成的同轴排列组外设置有高导磁外屏蔽层，闭合线圈串联在一起，连接电源，设计方法步骤为，利用毕奥‑萨伐尔定律建立解析模型；采用镜像模型的方法构建包括外层导磁材料边界条件的线圈磁场分布模型；通过泰勒展开使二、四、六阶等偶数阶次系数在x＝0时为零，解出线圈间距、安匝数比值等关键结构参数。具有成本低廉，磁场屏蔽效果好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 屏蔽 结构 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型屏蔽结构，包括闭合线圈、高导磁外屏蔽层，其特征在于：所述的闭合线圈外设置有高导磁外屏蔽层,所述的闭合线圈排列方式为三轴四线圈结构,每个轴上的闭合线圈为四个一组同轴单轴四线圈排列，每个轴上的闭合线圈串联在一起，连接电源；设d1为中间线圈的间距；d2为两边线圈的间距；a1为线圈的边长；a_shield为高导磁外屏蔽层边长；N_mid为中间线圈的匝数；N_side为两侧线圈的匝数；四个闭合线圈与高导磁外屏蔽层的结构尺寸比例关系为d1/a1＝0.2734；d2/a1＝0.6259；a_shield/a1＝1.0432；N_mid/N_side＝12/17。
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