[发明专利]一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上表面的第一超导层；位于第一超导层表面的第一介电层；位于第一介电层表面、由二维半导体薄膜层形成的霍尔结构；位于霍尔结构表面的第二介电层；位于第二介电层表面的第二超导层；位于衬底上表面，并与霍尔结构连接的金属接触电极；第一、第二超导层的长宽小于第一、第二介电层的长宽，第一、第二介电层的长宽均小于等于霍尔结构的长宽，且霍尔结构的长宽小于衬底的长宽。通过本发明提供的一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法，解决了利用现有技术中当二维半导体薄膜应用在新型微纳电子器件中时易受环境中电磁场的干扰，进而影响器件工作的问题。

主权项

1.一种用于磁场屏蔽的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：一衬底；位于所述衬底上表面的第一超导层；位于所述第一超导层上表面的第一介电层；位于所述第一介电层上表面、由二维半导体薄膜层形成的霍尔结构；位于所述霍尔结构表面的第二介电层；位于所述第二介电层上表面的第二超导层；位于所述衬底上表面，并与所述霍尔结构连接的金属接触电极；其中，所述第一超导层的长宽尺寸小于第一介电层的长宽尺寸，所述第二超导层的长宽尺寸小于第二介电层的长宽尺寸，所述第一介电层和第二介电层的长宽尺寸均小于等于霍尔结构的长宽尺寸，且所述霍尔结构的长宽尺寸小于衬底的长宽尺寸。