[发明专利]可湿式剥去的含硅抗反射剂有效

专利信息
申请号: 201610389823.7 申请日: 2016-06-02
公开(公告)号: CN106243357B 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: O·昂加依;C·卡特勒;M·李;S·山田;J·卡梅伦 申请(专利权)人: 罗门哈斯电子材料有限责任公司
主分类号: C08G77/14 分类号: C08G77/14;C08G77/18;C08G77/26;C08G77/28;G03F7/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈哲锋;胡嘉倩
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供包含一或多种含硅聚合物的可湿式剥去的抗反射组合物,所述含硅聚合物不含作为聚合单元的Q单体和氢化硅烷。这些组合物适用于制造多种电子装置。
搜索关键词: 可湿式 剥去 含硅抗 反射
【主权项】:
1.一种硅氧烷聚合物,其包含作为聚合单元的一或多个式(1)的第一单体或其二聚体和一或多个式(2)的第二单体或其二聚体R2SiX2 (1) RSiX3 (2)其中每一R独立地选自芳基、取代的芳基、芳烷基、烷基、烯基、芳烯基以及R1;R1为包含一或多个‑C(O)‑O‑C(O)‑部分的C2‑30有机基团;并且每一X为可水解部分;其中至少一个R为R1;其中,至少一个R选自芳基、取代的芳基、芳烷基;并且其中≥30%的组成所述聚合物的单体包含一或多个选自以下各者的功能性部分:羟基、巯基、缩水甘油基氧基、氰基、亚烷氧基、环丁砜基以及‑C(O)‑O‑C(O)‑;并且其中所述聚合物不含作为聚合单元的式HSiX3和SiX4的单体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗门哈斯电子材料有限责任公司,未经罗门哈斯电子材料有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610389823.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top