[发明专利]薄膜辐射热流传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610390008.2 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106124064A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 韩玉阁;任立飞 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜辐射热流传感器及其制备方法。包括基底1、设于基底1上的薄膜热电偶阵列2、设于薄膜热电偶阵列2上的热阻层3；薄膜热电偶阵列2由两个以上的薄膜热电偶通过外接点11串联构成，薄膜热电偶由A电极9和B电极10连接组成；相邻的两个外接点11上设有热阻层3；薄膜热电偶阵列2的两个外接端分别经焊盘13与各自电极对应的补偿导线14连接。本发明的热流传感器采用现有的成熟工艺技术和材料，生产工艺简单，成本低廉，具有良好的测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 辐射 热流 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜辐射热流传感器，其特征在于：包括基底（1）、设于基底（1）上的薄膜热电偶阵列（2）、设于薄膜热电偶阵列（2）上的热阻层（3）；薄膜热电偶阵列（2）由两个以上的薄膜热电偶通过外接点（11）串联构成，薄膜热电偶由A电极（9）和B电极（10）连接组成；相邻的两个外接点（11）上设有热阻层（3）；薄膜热电偶阵列（2）的两个外接端分别经焊盘（13）与各自电极对应的补偿导线（14）连接。
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