[发明专利]一种红外测量系统自身杂散辐射的分析方法有效

专利信息
申请号: 201610390112.1 申请日: 2016-06-03
公开(公告)号: CN106053023B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 杨智慧;姜维维;马勇辉 申请(专利权)人: 北京环境特性研究所
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02
代理公司: 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人: 李亚东
地址: 100854*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 公开了一种红外测量系统自身杂散辐射的分析方法,包括:确定所述系统中的杂散辐射源,其中,所述杂散辐射源的总个数为N个,所述杂散辐射源包括:光学元件自身的热辐射、机械结构自身的热辐射;对于第i个杂散辐射源,计算其辐射面上辐射的、且能够被探测器接收的辐射功率φi;对φi的传输过程进行分析,计算其在探测器上的辐射照度Ei;计算N个杂散辐射源在探测器上的总辐射照度E。其中,N为大于1的整数,i=1,…N。本发明的方法能够对杂散辐射与温度的关系进行定量分析,从而可为不同温度下杂散辐射的抑制提供理论制导。进一步的,通过在不同温度下有效抑制杂散辐射,能够有效提高系统的测量精度。
搜索关键词: 一种 红外 测量 系统 自身 辐射 分析 方法
【主权项】:
1.一种红外测量系统自身杂散辐射的分析方法,其特征在于,所述方法包括:S1、确定所述系统内部的杂散辐射源;其中,所述杂散辐射源的总个数为N个;所述杂散辐射源包括:光学元件自身的热辐射、机械结构自身的热辐射;S2、对于第i个杂散辐射源,计算其辐射面上辐射的、且能够被探测器接收的辐射功率φi;S3、对φi的传输过程进行分析,计算其在探测器上的辐射照度Ei;S4、计算N个杂散辐射源在探测器上的总辐射照度E;其中,N为大于1的整数,i=1,…N;步骤S2包括:S21、以第i个杂散辐射源表面作为物方,以该辐射面到探测器之间的光学元件作为成像光学系统,计算该成像光学系统的入瞳位置q(xe,ye,ze)、以及入瞳直径D;S22、计算该辐射面在点p(x,y,z)处的法线向量以及,计算由点p(x,y,z)出射、且过入瞳中心的主光线的方向向量其中,S23、计算所述法线向量与所述方向向量之间的夹角的余弦值S24、计算点p(x,y,z)相对入瞳的立体角Ω;式中,cosθ为主光线的方向向量与光轴的方向向量之间夹角的余弦值,S25、计算该辐射面辐射的、且能够被探测器接收的辐射功率φi;式中,S为该辐射面在yz平面上的投影区域,L为该辐射面的辐射亮度;在步骤S22中,计算该辐射面在点p(x,y,z)处的法线向量具体为:确定该辐射面的面形方程F(x,y,z),F(x,y,z)=my2+nz2+kx2‑2r0x=0;计算该辐射面在点p(x,y,z)处的法线向量αN=‑(kx‑r0)/Δ;βN=‑(my)/Δ;γN=‑(qz)/Δ;其中,k=1‑e2,e为偏心率,r0为顶点的曲率半径,m、n为判断面型的常数;在步骤S22中,主光线的方向向量具体为:α=(xe‑x)/Δe;β=(ye‑y)/Δe;γ=(ze‑z)/Δe;式中,
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