[发明专利]用于低EMI电路的封装构造在审
| 申请号： | 201610391042.1 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN106098660A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吴毅锋 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/772 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李宝泉;周亚荣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于低EMI电路的封装构造。电子组件包括包装在封装中的高电压开关晶体管。高电压开关晶体管包括所有都在高电压开关晶体管的第一侧上的源电极、栅电极、以及漏电极。源电极被电连接到封装的传导结构部分。能够形成使用上述晶体管和另一晶体管的组件，其中一个晶体管的源极能够被电连接到包含晶体管的封装的传导结构部分，并且第二晶体管的漏极被电连接到容纳第二晶体管的封装的第二传导结构部分。替代地，第二晶体管的源极与其传导结构部分电隔离，并且第二晶体管的漏极与其传导结构部分电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 emi 电路 封装 构造 | ||
【主权项】：
一种部件，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一源极和第一漏极，所述第一晶体管被包装在第一封装中；以及第二晶体管，所述第二晶体管包括第二源极和第二漏极，所述第二晶体管被包装在第二封装中；其中所述第一封装包括第一传导封装基座和第一漏极引线；所述第二封装包括第二传导封装基座和第二源极引线；所述第一源极被电连接到所述第一传导封装基座；以及所述第一漏极引线被电连接到所述第二源极引线；以及所述第二漏极被电连接到所述第二传导封装基座。
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