[发明专利]倒角检测方法有效
| 申请号： | 201610391105.3 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105870035B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 徐德智;李纪龙;李瑞;陈程;段献学 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒角检测方法，属于图像制作领域。所述方法包括：制作测试基板和参比基板，所述测试基板和所述参比基板中每个基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层的导电层；其中，所述测试基板的绝缘层上形成有镂空的图形，所述测试基板的导电层设置在所述镂空的图形上，所述参比基板的绝缘层上未形成有图形，所述测试基板的导电层和所述参比基板的导电层的外轮廓形状大小相同；分别测试所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻；根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，确定所述测试基板中的图形是否存在倒角。实现了在阵列基板工艺中对过孔倒角不良的检查，检测效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 倒角 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒角检测方法，其特征在于，所述方法包括：制作测试基板和参比基板，所述测试基板和所述参比基板中每个基板包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的绝缘层，以及设置在所述绝缘层上的导电层；其中，所述测试基板的绝缘层上形成有镂空的图形，所述测试基板的导电层设置在所述镂空的图形上，所述参比基板的绝缘层上未形成有图形，所述测试基板的导电层和所述参比基板的导电层的外轮廓形状大小相同；分别测试所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻；根据所述测试基板的面电阻和所述参比基板的面电阻，确定所述测试基板中的图形是否存在倒角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
