[发明专利]硅基薄膜晶体管及制备方法、有源矩阵装置及制备方法有效
| 申请号： | 201610391190.3 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106024720B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 宫奎;李贺飞;王铖铖;李纪龙;董必良 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 任嘉文 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种硅基薄膜晶体管及制备方法，以及一种薄膜晶体管有源矩阵装置及制备方法，用以减小悬空式薄膜晶体管的膜层表面残余的应力，使得薄膜晶体管的膜层表面平整，从而提高该薄膜晶体管的性能，本申请提供的一种硅基薄膜晶体管包括：硅基底、薄膜微桥和至少一个薄膜晶体管；其中，所述硅基底具有至少一个微腔，每一所述微腔使得位于该微腔上的所述薄膜微桥悬空；所述薄膜微桥设置在所述硅基底上方，且悬空于每一所述微腔上的薄膜微桥包括：平面结构的中心区域和位于该中心区域周围的波纹状结构的周边区域；每一所述薄膜晶体管设置在每一所述薄膜微桥的中心区域上方。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 微桥 薄膜 微腔 制备 硅基薄膜晶体管 中心区域 硅基 膜层表面 源矩阵 悬空 波纹状结构 平面结构 周边区域 残余的 悬空式 减小 申请 平整 | ||
【主权项】：
1.一种硅基薄膜晶体管，其特征在于，该硅基薄膜晶体管包括：硅基底、薄膜微桥和至少一个薄膜晶体管；其中，所述硅基底具有至少一个微腔，每一所述微腔使得位于该微腔上的所述薄膜微桥悬空；所述薄膜微桥设置在所述硅基底上方，且悬空于每一所述微腔上的薄膜微桥包括：平面结构的中心区域和位于该中心区域周围的波纹状结构的周边区域；每一所述薄膜晶体管设置在每一所述薄膜微桥的中心区域上方。
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