[发明专利]RGB-IR光传感器阵列、接收图像及检测彩色图像的方法有效
| 申请号： | 201610391522.8 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106241725B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 傅振宏;杨大江;伊贤敏;陈刚;胡信中;毛杜立 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01J1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种RGB‑IR光传感器阵列、接收图像及检测彩色图像的方法。一种前面‑互联(FSI)的红‑绿‑蓝‑红外线(RGB‑IR)光传感器阵列，具有第一类型、第二类型、以及第三类型的光传感器。第一类型的光传感器在P型井中具有扩散N型区，P型井扩散入高电阻率的半导体层；第二类型的光传感器在P型井中具有更深的扩散N型区；第三类型的光传感器具有扩散N型区，扩散到所有其它类型的光传感器的底层的高电阻率半导体层。在实施例中，第四类型的光传感器在P型井中具有扩散N型区，其N型区的深度比第一和第二类型的光传感器的N型区更深。 | ||
| 搜索关键词： | rgb ir 传感器 阵列 接收 图像 检测 彩色 方法 | ||
【主权项】：
一种前面成像(FSI)的红‑绿‑蓝‑红外线(RGB‑IR)光传感器阵列，包括：多个第一类型的光传感器，其中每个第一类型的光传感器包括在P型井中的扩散N型区，所述P型井扩散入高电阻率的半导体层；多个第二类型的光传感器，其中每个第二类型的光传感器包括在P型井中的扩散N型区，所述P型井扩散入所述高电阻率的半导体层；多个第三类型的光传感器，其中每个第三类型的光传感器包括扩散入所述高电阻率的半导体层的扩散N型区；其中所述第一类型的光传感器的所述扩散N型区扩散至第一深度；所述第二类型的光传感器的所述扩散N型区扩散至第二深度，所述第一深度与所述第二深度是不同的；以及其中所述第一类型的光传感器的所述P型井扩散至第三深度；所述第二类型的光传感器的P‑井扩散至第四深度，所述第三深度与所述第四深度是不同的。
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