[发明专利]一种抗单粒子瞬态加固SOI器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610391993.9 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105977196A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄辉祥;耿莉;韦素芬;唐凯;袁占生;徐文斌;吴一亮;邱邑亮;郑佳春 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人： | 何家富 |
| 地址： | 361000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域。本发明公开了一种抗单粒子瞬态加固SOI器件，包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙、LDD区和重掺杂的源延伸区，所述埋氧层位于衬底之上，所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上，并且半导体体区位于源区和漏区之间，所述LDD区位于半导体体区的两侧顶端并分别与源区和漏区接触，所述栅区位于半导体体区之上，所述两个栅侧墙分别位于栅区的两侧并在LDD区之上，所述源延伸区位于源区、半导体体区和埋氧层之间，所述源延伸区的掺杂类型与源区的掺杂类型相反，本发明还公开了其制备方法。本发明有效抑制单粒子辐射引起的SOI器件单粒子翻转和单粒子瞬态效应，工艺流程简单且与现有的工艺技术兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 瞬态 加固 soi 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子瞬态加固SOI器件，包括衬底、埋氧层、半导体体区、漏区、源区、栅区、栅侧墙和LDD区，所述埋氧层位于衬底之上，所述半导体体区、源区和漏区位于埋氧层之上，并且半导体体区位于源区和漏区之间，所述LDD区位于半导体体区的两侧顶端并分别与源区和漏区接触，所述栅区位于半导体体区之上，两个栅侧墙分别位于栅区的两侧并在LDD区之上，其特征在于：还包括重掺杂的源延伸区，所述源延伸区同时接触源区和半导体体区，并位于源区和半导体体区与埋氧层之间，所述源延伸区的掺杂类型与源区的掺杂类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
