[发明专利]一种Cu@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Cu@C@g‑C3N4纳米复合物及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米复合物材料微观结构为Cu@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中，该纳米胶囊的粒径为5～100nm。本发明采用等离子电弧放电法，将铜粉和三聚氰胺粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极靶材材料，采用石墨作为阴极材料，引用氩气和甲烷作为工作气体，阴极石墨电极与阳极靶材铜‑三聚氰胺粉末块体之间保持一定距离，阳极与阴极之间起电弧放电，即得Cu@C@g‑C3N4纳米复合物。该纳米复合物可见光催化活性高且制备过程简单、无后处理工序、成本低、易于实现工业化生产。

主权项

一种Cu@C@g‑C3N4纳米复合物，其特征在于，该纳米复合物微观结构为Cu@C核壳结构纳米胶囊嵌入g‑C3N4纳米片中，该纳米胶囊的粒径为5～100nm；该纳米复合物是利用等离子体电弧放电技术，在工作气体下原位制备得到；其中：采用石墨电极为阴极，铜‑三聚氰胺粉末块体为阳极靶材，阴极与阳极靶材之间保持2～30mm的距离；电弧放电的电压为10～40V；所述工作气体为氩气和甲烷气体；所述阳极靶材中铜所占的质量百分比为70～90％；所述氩气的分压为0.01～0.5MPa,甲烷气体的分压为0.01～0.3MPa。