[发明专利]背接触太阳能电池装置

摘要

本发明描述了背接触太阳能电池的制造方法及其装置。用于制造背接触太阳能电池的方法包括在布置于衬底上方的材料层上方形成N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层。N型掺杂剂源层与P型掺杂剂源层隔开。对N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层进行加热。随后，在N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层之间在材料层中形成沟槽。

主权项

1.一种背接触太阳能电池，包括：材料层，其布置于衬底上方；以及沟槽，其布置在所述材料层中，该沟槽将所述材料层的N型区和P型区分离，通过以下步骤来使得该P型区包括实质上等于该P型区中心的掺杂剂浓度的与所述沟槽直接相邻的掺杂剂浓度：在布置于衬底上方的材料层上方形成N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层，N型掺杂剂源层与P型掺杂剂源层隔开；对N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层进行加热；在N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层之间在材料层中形成沟槽，其中沟槽的宽度等于N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层的间隔，其中，所述沟槽布置成完全地穿过所述材料层并且部分地进入所述衬底中。