[发明专利]ZnO微纳米线制备方法、ZnO微纳米线压电换能元件制备方法在审
| 申请号： | 201610393794.1 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105895798A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 章伟;李雨桐;闵信杰;胡烨伟;胡雪峰 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L41/331 | 分类号： | H01L41/331;H01L41/332;H01L41/08;H01L41/187 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所 32250 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO微纳米线制备方法。首先在基底上真空沉积ZnO薄膜；然后利用光刻工艺得到ZnO微纳米线。本发明还公开了一种ZnO微纳米线压电换能元件制备方法，利用上述ZnO微纳米线制备方法，再结合从上到下（Top‑down）微纳加工技术，可大批量、低成本地实现高能量转换效率的ZnO微纳米线压电换能元件生产加工，且生产成品率高。本发明制备得到的ZnO微纳米线具有高的c‑轴择优取向和小于3%（3‑sigma）的均匀性，基于该ZnO微纳米线的微纳米发电机可产生足以驱动大多数微传感器和微LED照明所需要的功率。 | ||
| 搜索关键词： | zno 纳米 制备 方法 压电 元件 | ||
【主权项】：
一种ZnO微纳米线制备方法，其特征在于，首先在基底上真空沉积ZnO薄膜；然后利用光刻工艺得到ZnO微纳米线。
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