[发明专利]一种基于复合衬底的石墨烯光电探测器在审
申请号: | 201610393938.3 | 申请日: | 2016-06-03 |
公开(公告)号: | CN105826413A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 丁荣;倪振华;梁铮;梁贺君;郭喜涛;王文辉;严春伟;孟凡;聂禄君 | 申请(专利权)人: | 泰州巨纳新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/101 |
代理公司: | 北京文苑专利代理有限公司 11516 | 代理人: | 王炜 |
地址: | 225300 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于复合衬底的石墨烯光电探测器,源极和漏极连接外部电源,单层石墨烯电子传输层设置在绝缘介质层之上;绝缘介质层下方设置栅电极层;所述漏极和栅电极层通过栅电源连接;所述栅电极层采用电导率为1‑10Ωcm的轻掺杂硅。该探测器在光功率<1nW的情况下,响应度可达1000A W‑1,且响应时间短至400ns,响应波长为400‑1200nm。该探测器可实现在弱光信号下的快速光电响应,成功地填补了石墨烯光电器件在超高速与超灵敏度响应二者之间的空白,且与现今成熟的硅工艺完全兼容,在高速弱光探测领域将拥有巨大的前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 复合 衬底 石墨 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于复合衬底的石墨烯光电探测器,其特征在于,源极和漏极连接外部电源,单层石墨烯电子传输层设置在绝缘介质层之上;绝缘介质层下方设置栅电极层;所述漏极和栅电极层通过栅电源连接;所述栅电极层采用电导率为1‑10Ωcm的轻掺杂硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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