[发明专利]使用二氧化铈涂布的二氧化硅磨料的屏障化学机械平面化浆料有效
| 申请号： | 201610394296.9 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106244021B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 史晓波;J·A·施吕特;M·L·奥尼尔;D·C·坦姆伯利 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包含复合颗粒如二氧化铈涂布的二氧化硅颗粒的化学机械平面化(CMP)抛光组合物提供了在不同膜之间可调整的抛光去除选择性值。组合物能够实现对互联金属和二氧化硅介电质的高去除速率而同时提供对低K介电质、a‑Si和钨膜的抛光停止。化学机械平面化(CMP)抛光组合物已经使用软抛光垫显示了优异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 氧化 铈涂布 二氧化硅 磨料 屏障 化学 机械 平面化 浆料 | ||
【主权项】：
一种抛光组合物，其包含：0.01重量％至20重量％的磨料，所述磨料选自：复合颗粒，其包含核心颗粒，所述核心颗粒具有由纳米颗粒覆盖的表面；磨料颗粒，其选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、表面改性的无机氧化物颗粒及其组合；及其组合；0.0001重量％至5重量％的pH调节剂；0.0005重量％至0.5重量％的腐蚀抑制剂；和其余为水；其中所述核心颗粒选自二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、聚合物颗粒及其组合；和所述纳米颗粒选自锆、钛、铁、锰、锌、铈、钇、钙、镁、镧、锶纳米颗粒及其组合；和所述抛光组合物的pH为约2至11。
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