[发明专利]三阶文氏桥压控忆阻混沌信号发生器在审
| 申请号： | 201610394335.5 | 申请日： | 2016-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN105846992A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 武花干;林毅;徐权;包伯成 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新颖的三阶文氏桥压控忆阻混沌信号发生器，该信号发生器采用非理想压控忆阻等效实现电路替换经典文氏桥振荡电路中RC并联分支中的电阻实现，电路包括两个基本组成部分：经典文氏桥振荡器和非理想压控忆阻等效实现电路。本发明中的三阶文氏桥压控忆阻混沌信号发生器，通过调节电路参数即可产生混沌吸引子、周期极限环等复杂的非线性现象，使其成为一类新颖的混沌信号发生器。其稳定性强，具有显著的混沌特性，对于忆阻混沌电路的应用发展起到较大的推进作用。 | ||
| 搜索关键词： | 三阶文氏桥压控忆阻 混沌 信号发生器 | ||
【主权项】：
一种采用非理想压控忆阻等效实现电路替换经典文氏桥振荡电路中RC并联分支中的电阻实现的一种新颖的三阶文氏桥压控忆阻混沌信号发生器，其特征在于：包括非理想压控忆阻等效实现电路W、电容C1、电容C2、电阻R、电阻Rf、电阻Ri、运算放大器U；其中非理想压控忆阻等效实现电路W的正、负极分别与电容C1的正、负极相连，记为1端和1'端；运算放大器的U正极输入端和负极输入端分别与电容C2的负极端和电阻Rf的一端相连；电容C2的正极端与电阻R的一端相连；运算放大器U的输出端分别与电阻R和电阻Rf的另一端相连；电阻Ri的一端与运算放大器U的负极输入端相连，另一端与所述1'端相连。
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