[发明专利]石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法，其是在绝缘衬底上表面覆盖有碳纳米管薄膜，碳纳米管薄膜的一端设置有与碳纳米管薄膜呈欧姆接触的银电极，另一端设置有与碳纳米管薄膜呈肖特基接触的石墨烯薄膜，在石墨烯薄膜上设置有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的第二银电极。本发明中的光电探测器既利用了碳纳米管宽光谱吸收的特性，又结合了石墨烯高透光率、低电阻率等优良特性，实现了对300‑1050nm光的探测，并且具有很高的响应度和响应速度；本发明制备方法简单，适合大规模生产，可制备宽光谱、高探测率、响应速度快的光电探测器，为全碳结构光电探测的应用开拓了新的前景。

主权项

石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器，其特征在于：在绝缘衬底(1)上表面覆盖有碳纳米管薄膜(2)，所述碳纳米管薄膜(2)上表面的一端设置有与所述碳纳米管薄膜(2)呈欧姆接触的第一银电极(3)，另一端设置有与所述碳纳米管薄膜(2)呈肖特基接触的石墨烯薄膜(4)，在所述石墨烯薄膜(4)上设置有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的第二银电极(5)；所述第一银电极与所述石墨烯薄膜不接触，所述第二银电极与所述碳纳米管薄膜不接触。