[发明专利]一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法在审
| 申请号： | 201610394660.1 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107464745A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种掩膜结构及掩膜结构的制作方法，包括位于衬底上的氧化层和位于所述氧化层上的绝缘层，在所述氧化层上设有氧化层沟槽，在所述绝缘层上设有与氧化层沟槽贯穿的绝缘层沟槽，氧化层沟槽的宽度大于绝缘层沟槽的宽度。一种的掩膜结构的制作方法，包括在衬底上依次形成氧化层和绝缘层；在所述氧化层和所述绝缘层上刻蚀出贯穿且等宽的沟槽；继续刻蚀氧化层，以形成沟槽宽度大于绝缘层沟槽宽度的氧化层沟槽。利用本发明的掩膜结构可刻蚀出上下同宽的衬沟槽，降低漏电，提高良率，所述方法便于形成上窄下宽的两个沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膜结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜结构，应用于衬底上，其特征在于，包括：位于所述衬底上的氧化层和位于所述氧化层上的绝缘层，在所述氧化层上设有氧化层沟槽，在所述绝缘层上设有与所述氧化层沟槽贯穿的绝缘层沟槽，所述氧化层沟槽的宽度大于所述绝缘层沟槽的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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