[发明专利]一种倒装式大功率紫外LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610395135.1 | 申请日： | 2016-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN105914277A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 胡晓龙;王洪;刘丽 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/64;H01L33/02;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种倒装式大功率紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片从下到上依次为导热衬底，电镀金属层，第一电镀种子层，绝缘层，p型反射电极层，p型氮化镓层，有源层，n型氮化镓层；p型反射电极层上方一侧还进行刻蚀露出p型反射电极层的部分区域，露出的部分区域上设有p型金属电极；从p型反射电极层开始一直到n型氮化镓层刻蚀有多个n型通孔，所述p型反射电极层和n型通孔侧壁沉积所述绝缘层，第一电镀种子层沉积在n型通孔中和绝缘层上，第一电镀种子层与n型通孔的n型氮化镓层接触。本发明可以避免在表面制作n型金属电极，这样可以降低n型金属电极对有源区出光的吸收，从而提高LED芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 大功率 紫外 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种倒装式大功率紫外LED芯片，其特征在于它的结构从下到上依次为导热衬底，电镀金属层，第一电镀种子层，绝缘层，p型反射电极层， p型氮化镓层，有源层，n型氮化镓层；p型反射电极层上方一侧还进行刻蚀露出p型反射电极层的部分区域，露出的部分区域上设有p型金属电极；从p型反射电极层开始一直到n型氮化镓层刻蚀有多个n型通孔， 所述p型反射电极层和n型通孔侧壁沉积所述绝缘层，第一电镀种子层沉积在n型通孔中和绝缘层上，第一电镀种子层与n型通孔的n型氮化镓层接触。
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