[发明专利]二氧化钒薄膜生长方法在审
| 申请号： | 201610395270.6 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106012014A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 林媛;梁伟正;高敏;路畅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B19/12 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜制作技术。本发明解决了现有二氧化钒薄膜生长时+4价钒离子价态不稳定的问题，提供了一种二氧化钒薄膜生长方法，其技术方案可概括为：将预先旋涂有含V离子的前驱体的基片样品或预先生长了VOX薄膜的基片样品放入石英舟或刚玉舟内并推入管式炉或马弗炉中，其中，1<X<2.5，再将一定量的水蒸气与氮氢混合气体充分混合后通入管式炉或马弗炉中，然后设定管式炉或马弗炉的烧结程序，对得到的基片样品进行烧结处理，最终得到基片样品上生长的二氧化钒薄膜。本发明的有益效果是，提高二氧化钒薄膜的晶体质量和性能，适用于二氧化钒薄膜制作。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
二氧化钒薄膜生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将预先旋涂有含V离子的前驱体的基片样品或预先生长了VOX薄膜的基片样品放入石英舟或刚玉舟内并推入管式炉或马弗炉中，其中，1<X<2.5；步骤2、将一定量的水蒸气与氮氢混合气体充分混合后通入管式炉或马弗炉中；步骤3、设定管式炉或马弗炉的烧结程序，对得到的基片样品进行烧结处理，最终得到基片样品上生长的二氧化钒薄膜。
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