[发明专利]用于半导体处理的具有二极管平面加热器区域的加热板在审
申请号: | 201610395459.5 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN106057708A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 基思·威廉·加夫;基思·科门丹特 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的加热板,其包括以可扩展多路复用布局布置的多个独立控制的平面加热器区域,以及电子器件以独立控制平面加热器区域和为所述平面加热器区域供电。每个平面加热器区域使用至少一个二极管作为加热器元件。其中包括有加热板的衬底支撑组件包括静电夹持电极和温度控制基板。用于制造所述加热板的方法包括将具有平面加热器区域、功率供给线、功率返回线和通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 具有 二极管 平面 加热器 区域 加热 | ||
【主权项】:
一种用于衬底支撑组件的加热板,所述衬底支撑组件用于在半导体处理装置中支撑半导体衬底,所述加热板包括:加热器区域,其包括至少第一、第二、第三和第四加热器区域,每一个加热器区域均包括作为加热器元件的一或多个二极管,所述一或多个二极管在整个所述加热板横向分布且能操作来调谐所述半导体衬底上的空间温度分布;功率供给线,其包括至少第一导电功率供给线和第二导电功率供给线,所述第一导电功率供给线电连接到所述第一和第二加热器区域的所述一或多个二极管的阳极,所述第二导电功率供给线电连接到所述第三和第四加热器区域的所述一或多个二极管的阳极;功率返回线,其包括至少第一导电功率返回线和第二导电功率返回线,所述第一导电功率返回线电连接到所述第一和第三加热器区域的所述一或多个二极管的阴极,所述第二导电功率返回线电连接到所述第二和第四加热器区域的所述一或多个二极管的阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造