[发明专利]多晶硅晶面指数的检测方法和检测装置有效

专利信息
申请号: 201610395946.1 申请日: 2016-06-07
公开(公告)号: CN105938137B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 陈全胜;刘尧平;杨丽霞;陈伟;吴俊桃;杜小龙 申请(专利权)人: 深圳市石金科技股份有限公司
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 代理人: 王勇,张磊
地址: 518105 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种多晶硅晶面指数的检测方法和检测装置,所述检测方法包括下列步骤1)利用表面形貌分析技术获得经各向异性制绒后的多晶硅表面的凹坑的形貌;2)确定所述凹坑的形貌的截面图;3)根据所述截面图确定所述多晶硅表面的晶面指数。本发明的检测方法对晶粒的尺寸并没有限制,检测的成本低,可根据凹坑的形状直观地、准确地获得晶面指数,检测速度快、效率高。
搜索关键词: 多晶 硅晶面 指数 检测 方法 装置
【主权项】:
一种多晶硅晶面指数的检测方法,其特征在于,包括下列步骤:1)利用表面形貌分析技术获得经各向异性制绒后的多晶硅表面的凹坑的形貌;2)沿所述凹坑的边缘用多条直线依次连接形成多边形,确定所述凹坑的形貌的截面图;3)计算所述截面图中相交的两条边的夹角,确定所述多晶硅表面的晶面指数。
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