[发明专利]一种Ⅳ‑Ⅵ族等原子比化合物半导体的制备方法在审
| 申请号： | 201610396752.3 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106082141A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘小峰;叶羽婷;邱建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Ⅳ‑Ⅵ族等原子比化合物半导体的制备方法。将高纯的Ⅳ‑Ⅵ族元素的单质粉末按照1:1摩尔比配制，混合均匀后封入真空玻璃管中，然后将密封好的玻璃管放入电阻炉中，在一定温度下加热反应一段时间，反应结束后自然冷却即可得到Ⅳ‑Ⅵ族半导体的多晶固体产物，研磨可得到微米级粉末。本发明方法直接用固相法制备Ⅳ‑Ⅵ族半导体，操作简单，条件易控制，产物纯度高，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原子 化合物 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅳ‑Ⅵ族等原子比化合物半导体的制备方法，其特征在于：第一步，采用高纯的Ⅳ‑Ⅵ族元素的单质粉末作为初始原料，按1：1摩尔比配置并混合均匀；第二步，将粉末置于玻璃管中，边抽真空边加热密封玻璃管；第三步，将第二步装有混合粉末的玻璃管放入电阻炉中，加热使固体粉末充分反应；第四步，反应结束后自然冷却，打开玻璃管得到固体块状多晶产物，研磨后可得到Ⅳ‑Ⅵ族半导体粉末。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610396752.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
