[发明专利]制造高纵横比银纳米线的方法

摘要

本发明提供一种制造高纵横比银纳米线的方法，其中生产的银固体包含高纵横比银纳米线且耗尽低纵横比银粒子。

主权项

1.一种制造高纵横比银纳米线的方法，其包含：提供包含以下的原料：母液；和银固体；其中所述原料中的所述银固体包括高纵横比银纳米线和低纵横比银粒子；提供动态过滤装置，其中所述动态过滤装置包含：外壳，其包含：具有第一侧和第二侧的空腔；其中存在至少一个所述空腔的所述第一侧的入口、至少一个所述空腔的所述第一侧的产物出口和至少一个所述空腔的所述第二侧的渗透物出口；和安置在所述空腔内的多孔元件；安置在所述空腔内的扰流诱发元件；以及压力源；其中所述多孔元件插入在所述空腔的所述第一侧与所述空腔的所述第二侧之间；其中所述多孔元件具有多个从所述空腔的所述第一侧横越到所述空腔的所述第二侧的通道；其中所述多个通道足够大以准许所述母液和低纵横比银粒子的转移且足够小以阻断所述高纵横比银纳米线的转移；其中所述多孔元件和所述扰流诱发元件配合以形成过滤间隙FG；且其中所述多孔元件和所述扰流诱发元件中的至少一个可移动；将所述原料经由所述空腔的所述第一侧的至少一个入口转移到所述动态过滤装置；其中所述过滤间隙FG通过所述母液填充；其中安置在所述空腔内的所述多孔元件和所述扰流诱发元件均与所述母液接触；使用所述压力源对所述空腔的所述第一侧加压，在所述空腔的所述第一侧中产生第一侧压力FSP；其中所述第一侧压力FSP高于所述空腔的所述第二侧的第二侧压力SSP，借此跨越所述多孔元件从所述空腔的所述第一侧到所述空腔的所述第二侧产生压降；其中所述压力源提供诱发从所述空腔的所述第一侧经由所述多孔元件流到所述空腔的所述第二侧进而提供渗透物的流的主要动力；移动所述多孔元件和所述扰流诱发元件中的至少一个，借此在所述过滤间隙FG中的所述母液中产生剪应力；其中产生于所述过滤间隙FG中的所述母液中的所述剪应力用以减少所述多孔元件的积垢；从所述空腔的所述第二侧的至少一个渗透物出口抽取渗透物，其中所述渗透物包含第二部分的母液和第二部分的银固体；其中所述第二部分的银固体富含低纵横比银粒子；和从所述空腔的所述第一侧的至少一个产物出口抽取产物，其中所述产物包含第一部分的母液和第一部分的银固体；其中所述第一部分的银固体耗尽低纵横比银粒子；且其中产生于所述过滤间隙FG中的所述母液中的所述剪应力和跨越所述多孔元件从所述空腔的所述第一侧到所述空腔的所述第二侧的所述压降经解耦；所述高纵横比银纳米线是指具有>3的纵横比的银固体；所述低纵横比银粒子是指具有≤3的纵横比的银固体。