[发明专利]多阴极磁控溅射干扰控制装置及方法在审
申请号: | 201610398279.2 | 申请日: | 2016-06-07 |
公开(公告)号: | CN105887034A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 王鲁南;李锺允;朴勝一;全武贤;朴翰镇;王建华;窦立峰 | 申请(专利权)人: | 南京汇金锦元光电材料有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 王清义 |
地址: | 210046 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本技术解决了因各溅射腔内输入的气流流量不同而导致相邻溅射腔相互干扰,影响各溅射腔的沉积效果的问题,提供了一种相邻溅射腔互不干扰的多阴极磁控溅射干扰控制装置和方法,该干扰控制装置是在一个真空腔体内设置有多个磁控溅射阴极,每个磁控溅射阴极具有一个阴极屏蔽罩所形成的溅射腔体,阴极靶材位于各溅射腔内,各溅射腔体均与输入工作气体、反应气体的输入装置相通,各溅射腔均通过一个可以调节开度的阀门与真空泵相连。该控制方法,是使用该干扰控制装置,通过调节阀门的开度而调节真空泵对连接有该阀门的溅射腔的抽气速度,使得通过输入装置进入该溅射腔内的气体流量与该溅射腔内被真空泵抽出的气流流量相等。 | ||
搜索关键词: | 阴极 磁控溅射 干扰 控制 装置 方法 | ||
【主权项】:
多阴极磁控溅射干扰控制装置,在一个真空腔体内设置有多个磁控溅射阴极,每个磁控溅射阴极具有一个阴极屏蔽罩所形成的溅射腔体,阴极靶材位于各溅射腔内,各溅射腔体均与输入工作气体、反应气体的输入装置相通,其特征是:各溅射腔均通过一个可以调节开度的阀门与真空泵相连。
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