[发明专利]TFT背板的制作方法及TFT背板

摘要

本发明提供一种TFT背板的制作方法及TFT背板。本发明的TFT背板的制作方法，通过在缓冲层上制作包括含氧非晶硅薄膜以及位于所述含氧非晶硅薄膜上的不含氧非晶硅薄膜的非晶硅薄膜，使得采用硼离子诱导固相晶化法对所述非晶硅薄膜进行晶化处理时，由于所述非晶硅薄膜与缓冲层的接触界面为含氧非晶硅薄膜，而含氧非晶硅薄膜在高温结晶过程中不容易产生晶核，从而使得晶核的产生仅发生在非晶硅薄膜上表面的硼离子掺杂层中，并且自上而下发生结晶，晶粒质量好，薄膜均一性好，从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。本发明的TFT背板，制程简单，其中的多晶硅层的结晶质量与均一性较好，提升了TFT的性能，增强其驱动效果。

主权项

1.一种TFT背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上沉积缓冲层(20)；步骤2、在所述缓冲层(20)上形成非晶硅薄膜(310)，所述非晶硅薄膜(310)包括位于所述缓冲层(20)上的含氧非晶硅薄膜(311)以及位于所述含氧非晶硅薄膜(311)上的不含氧非晶硅薄膜(312)；步骤3、对所述非晶硅薄膜(310)进行硼离子掺杂，在所述非晶硅薄膜(310)的上表面形成一硼离子掺杂层(313)，对所述非晶硅薄膜(310)进行快速热退火处理，使所述非晶硅薄膜(310)结晶转化为低温多晶硅薄膜(330)，所述低温多晶硅薄膜(330)包括位于所述缓冲层(20)上的含氧低温多晶硅薄膜(331)及位于所述含氧低温多晶硅薄膜(331)上的不含氧低温多晶硅薄膜(332)；步骤4、去除所述低温多晶硅薄膜(330)上表面的硼离子掺杂层(313)，对所述低温多晶硅薄膜(330)进行图形化处理，得到间隔设置的第一多晶硅层(30)与第二多晶硅层(40)；步骤5、在所述第一多晶硅层(30)、第二多晶硅层(40)、及缓冲层(20)上形成栅极绝缘层(50)，采用一道掩模对所述第一多晶硅层(30)的两侧、及整个第二多晶硅层(40)进行N型或者P型重掺杂，在所述第一多晶硅层(30)的两侧形成源极接触区(31)与漏极接触区(32)，所述源极接触区(31)与漏极接触区(32)之间的区域形成沟道区(33)，所述第二多晶硅层(40)经过N型或者P型重掺杂后形成导体；步骤6、在所述栅极绝缘层(50)上形成对应于所述第一多晶硅层(30)上方的栅极(61)、及对应于所述第二多晶硅层(40)上方的存储电容电极(62)；所述存储电容电极(62)与第二多晶硅层(40)形成存储电容；在所述栅极(61)、存储电容电极(62)、及栅极绝缘层(50)上沉积层间介电层(70)，在所述层间介电层(70)及栅极绝缘层(50)上形成分别对应于源极接触区(31)及漏极接触区(32)上方的第一通孔(71)、及第二通孔(72)；步骤7、在所述层间介电层(70)上形成源极(81)与漏极(82)，所述源极(81)、及漏极(82)分别通过第一通孔(71)、及第二通孔(72)与第一多晶硅层(30)的源极接触区(31)、及漏极接触区(32)相接触。