[发明专利]挥发性半导体存储装置、其再新控制电路及方法有效
| 申请号： | 201610399189.5 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN107103926B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 木原雄治 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种挥发性半导体存储装置、其再新控制电路及方法。所述挥发性半导体存储装置包括各自具有选择用晶体管与存储元件的多个存储单元，所述挥发性半导体存储装置的再新控制电路包括：第1比较部件，将所述挥发性半导体存储装置的与通常存储用存储单元不同的存储单元的存储电压跟规定的临界电压进行比较，并输出比较结果信号，停止所述存储单元的自我再新，直至所述存储电压下降至小于规定的临界电压为止。此处，所述挥发性半导体存储装置的与通常存储用存储单元不同的存储单元是形成在与所述通常存储用存储单元的阵列邻接的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 半导体 存储 装置 控制电路 方法 | ||
【主权项】：
一种挥发性半导体存储装置的再新控制电路，所述挥发性半导体存储装置包括各自具有选择用晶体管与存储元件的多个存储单元，所述挥发性半导体存储装置的再新控制电路包括：第1比较部件，将所述挥发性半导体存储装置的与通常存储用存储单元不同的存储单元的存储电压跟规定的临界电压进行比较，并输出比较结果信号，停止所述存储单元的自我再新，直至所述存储电压下降至小于规定的所述临界电压为止。
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