[发明专利]流体处理装置及其制备方法在审
申请号: | 201610399542.X | 申请日: | 2016-06-07 |
公开(公告)号: | CN107473434A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 杨国勇;史建伟 | 申请(专利权)人: | 杨国勇;史建伟;蔡勇;毛凌锋 |
主分类号: | C02F9/04 | 分类号: | C02F9/04 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 100000 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种流体处理装置及其制备方法。所述流体处理装置包括具有第一流体通道的基体,所述第一流体通道的流体入口分布于所述基体的第一表面的第一区域内;流体阻挡部,具有与该第一表面相对设置的第二表面;多个纳米线状体,所述纳米线状体一端固设于该第一表面的第二区域内,另一端与该第二表面固定连接,相邻纳米线状体之间间隔一定距离,所述第一表面的第二区域与第一区域邻接,从而使所述多个纳米线状体、流体阻挡部与基体之间配合形成第二流体通道,且待处理的流体仅能通过所述第二流体通道进入第一流体通道。本申请的流体处理装置具有通量大、流阻小、能高效清除流体中微/纳米级颗粒等特点,可重复使用,使用寿命长,且适于规模化大批量生产。 | ||
搜索关键词: | 流体 处理 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种流体处理装置,其特征在于包括:具有第一流体通道的基体,所述第一流体通道具有流体入口和流体出口,所述第一流体通道的流体入口分布于所述基体的第一表面的第一区域内;流体阻挡部,具有与所述基体的第一表面相对设置的第二表面,用于阻止待处理流体直接进入所述第一流体通道的流体入口;分布于所述基体的第一表面的第二区域内的、且彼此间隔的复数根竖直纳米线状体,所述基体的第一表面的第二区域环绕所述第一区域设置,所述纳米线状体的两端分别与所述基体的第一表面及所述流体阻挡部的第二表面固定连接,其中相邻纳米线状体之间的距离大于0但小于混杂于待处理的流体内的选定颗粒的粒径,从而使所述复数根纳米线状体、流体阻挡部与基体之间配合形成第二流体通道,且待处理的流体仅能通过所述第二流体通道进入第一流体通道。
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