[发明专利]镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层的方法

摘要

镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层的方法，涉及镁合金表面处理。包括以下步骤：1)镁合金首先经过机械研磨抛光、化学刻蚀等湿法前处理后放入溅射室进行烘烤，再进行离子轰击干法清洗处理除去表层氧化膜并粗糙化表面；2)采用直流、射频共溅射模式在镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层。通过将微量非晶态Si₃N₄通过掺杂引入金属Hf涂层，利用Si、N原子部分取代Hf从而细化涂层晶粒尺寸，弱化柱状晶结构，提高涂层致密度，在镁合金样品表面制备结构、成分可控、具有良好导电且耐腐蚀性能，以金属Hf为主、非晶态陶瓷Si₃N₄为辅的纳米复合结构涂层的方法。

主权项

1.镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层的方法，其特征在于包括以下步骤：1)镁合金首先经过机械研磨抛光、化学刻蚀湿法前处理后放入溅射室进行烘烤，再进行离子轰击干法清洗处理除去表层氧化膜并粗糙化表面；2)采用直流、射频共溅射模式在镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层，是在镁合金经过机械研磨抛光、化学刻蚀湿法前处理后，确认腔体环境温度为80℃，镁合金基体温度为250℃后进行如下操作：(1)调节Ar流量至40.0sccm，调节腔室压力至0.5Pa；转动样品台，使镁合金基体处于金属Hf靶及Si3N4靶中间位置，且与两靶材的距离为15.0cm；(2)同时打开金属Hf靶直流溅射电源及Si3N4靶射频溅射电源，为了能够保持涂层的导电性能，设置其溅射功率参数如下：金属Hf靶直流溅射功率设定为200W；调节Si3N4靶射频溅射功率为50、100、150、200W，控制沉积时间为90min，沉积过程中对基体施加偏压‑75V，最后在镁合金上制备铪/氮化硅导电且耐蚀纳米复合涂层。