[发明专利]具有SiC涂层的石墨材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610402410.8 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106083192A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘荣军;曹英斌;张长瑞;王衍飞;龙宪海;李斌;王思青;贺鹏博 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪;黄丽 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有SiC涂层的石墨材料及其制备方法，该石墨材料包括石墨基体和SiC涂层，SiC涂层包括初级SiC层和次级SiC层，初级SiC层相对石墨基体表面渗入石墨基体内部，为气态硅与石墨基体原位反应形成，次级SiC层位于初级SiC层之上。制备方法包括：(1)对石墨材料进行气相渗硅烧结，得到具有初级SiC层的石墨材料；(2气相沉积次级SiC层。该具有SiC涂层的石墨材料有以下优点：SiC涂层与石墨材料结合好、不存在热失配、SiC涂层致密、抗氧化性能高。该制备方法有效解决了直接采用CVD工艺在石墨材料表面制备SiC涂层时的热失配问题，保证了涂层和石墨的高结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 sic 涂层 石墨 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有SiC涂层的石墨材料，包括石墨基体和SiC涂层，其特征在于，所述SiC涂层包括初级SiC层和次级SiC层，所述初级SiC层相对石墨基体表面渗入石墨基体内部，所述初级SiC层为气态硅与石墨基体原位反应形成，所述次级SiC层位于初级SiC层之上。
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