[发明专利]C/C-SiC复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610402611.8 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106064951B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘荣军;曹英斌;傅祥博;张长瑞;袁立;王衍飞;龙宪海;贺鹏博;严春雷 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/84;C04B35/65;C04B35/622;C04B41/91;C09K3/14 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪;黄丽 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种C/C‑SiC复合材料及其制备方法和应用，C/C‑SiC复合材料包括碳纤维预制件、碳基体和碳化硅基体，所述碳基体和碳化硅基体均匀填充于所述碳纤维预制件的孔隙中，所述碳化硅基体包括第一碳化硅基体和第二碳化硅基体，所述第二碳化硅基体由气相渗硅烧结工艺引入。制备方法包括以下步骤：(1)引入碳基体；(2)分别引入第一碳化硅基体和第二碳化硅基体。该C/C‑SiC复合材料具有组分均匀、致密度高、基体颗粒细腻、摩擦稳定性高、热导率高和力学性能优异等优点。该制备方法工艺简单，所得复合材料性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | sic 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种C/C‑SiC复合材料，包括碳纤维预制件、碳基体和碳化硅基体，其特征在于，所述碳基体和碳化硅基体均匀填充于所述碳纤维预制件的孔隙中，所述碳化硅基体包括第一碳化硅基体和第二碳化硅基体，所述碳基体由化学气相渗透工艺引入，所述第二碳化硅基体由气态硅与碳基体原位反应生成；所述C/C‑SiC复合材料中不含残留硅；所述C/C‑SiC复合材料中，所述碳基体的体积分数为20%～40%，所述第一碳化硅基体的体积分数为10%～25%，所述第二碳化硅基体的体积分数为15%～25%，孔隙率为0%～5%。
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