[发明专利]半色调掩模板及TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种半色调掩模板及TFT基板的制作方法。本发明的半色调掩模板，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域、位于该U形的半透光区域开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域、以及剩余的全透光区域；该半透光延伸区域可以避免在构图形成源漏极、及沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。本发明提供的TFT基板的制作方法，采用上述半色调掩模板，可以避免在构图形成沟道区时产生边缘效应而造成过显及过刻，从而消除现有技术中良品率不足、产率过低的问题。

主权项

1.一种半色调掩模板，其特征在于，包括用于分别与薄膜晶体管的源、漏极位置对应的第一、第二不透光区域(910、920)、用于与所述薄膜晶体管的有源层的U形沟道区位置对应的U形的半透光区域(930)、位于该U形的半透光区域(930)开口处并向该开口外延伸的两半透光延伸区域(940)、以及剩余的全透光区域(950)；所述第一不透光区域(910)包括一条形部(911)，所述第二不透光区域(920)包括一U形部(921)，所述第一不透光区域(910)的条形部(911)的一端伸入所述第二不透光区域(920)的U形部(921)的开口内并与其不相接，从而形成一U形间隙；所述半透光区域(930)位于并填满所述第一不透光区域(910)与第二不透光区域(920)之间的U形间隙，所述半透光区域(930)包括一竖条部(931)、及分别连接于竖条部(931)两端的两横条部(932)，从而形成U形结构；所述半透光延伸区域(940)垂直于所述第一不透光区域(910)的条形部(911)并向所述半透光区域(930)的U形结构外延伸，与所述半透光区域(930)相接并挡住所述第一不透光区域(910)与第二不透光区域(920)之间的U形间隙的开口；所述半透光延伸区域(940)的长度(L)大于所述半透光区域(930)的横条部(932)的宽度(D)；所述两半透光延伸区域(940)通过在所述U形的半透光区域(930)开口处设置一层半透膜得到，所述半透膜为氧化铬薄膜、或钼硅薄膜。