[发明专利]GaN基材料的侧壁加工工艺在审
| 申请号： | 201610402689.X | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105870006A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张帆;李宏磊;吴永胜 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基材料的侧壁加工工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）将GaN基材料进行正面切割，得到正面切割槽；（2）将切割后的GaN基材料浸入刻蚀溶液中进行刻蚀，对正面切割除槽的侧壁和/或底表面形状进行改变，刻蚀温度为20~105℃，刻蚀时间为0.1~1000分钟。所述刻蚀溶液采用KOH溶液。所述刻蚀溶液的浓度为0.1~20mol/L。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的形状为正梯形、倒梯形或矩形。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的侧壁为平滑表面或锯齿形表面。经步骤（2）刻蚀溶液处理后，正面切割槽的侧壁与底表面呈圆弧过渡。本发明所述加工工艺廉价、有效，能够得到不同形貌的GaN基材料的侧壁或表面。 | ||
| 搜索关键词： | gan 基材 侧壁 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种GaN基材料的侧壁加工工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）将GaN基材料进行正面切割，得到正面切割槽；（2）将切割后的GaN基材料浸入刻蚀溶液中进行刻蚀，对正面切割除槽的侧壁和/或底表面形状进行改变，得到所需要形状的侧壁和底表面；刻蚀温度为20~105℃，刻蚀时间为0.1~1000分钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏新广联半导体有限公司，未经江苏新广联半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610402689.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种伺服驱动器
- 下一篇：电动车用开关磁阻电机控制器功率部分结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
