[发明专利]一种外部双电压输入选择开关电路及电子装置有效
申请号: | 201610402929.6 | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN107481759B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 權彞振;倪昊;许家铭;刘晓艳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种外部双电压输入选择开关电路及电子装置,所述选择开关电路包括参考电压控制单元、电压抬升单元以及一第一NMOS晶体管,其中:参考电压控制单元配置为基于一参考电压输出控制电压信号给电压抬升单元;电压抬升单元连接至第一NMOS晶体管的栅极,配置为基于所述控制电压信号输出一栅极电压给所述栅极;第一NMOS晶体管的漏极连接至所述选择开关电路的输出端,第一NMOS晶体管的源极连接至负电荷泵偏置电压。根据本发明,借助于参考电压控制单元和电压抬升单元的共同作用,可以控制第一NMOS晶体管的栅极电压与衬底电压之间的电压差小于4V,提升第一NMOS晶体管的可靠性,使所述选择开关电路输出的电压满足NVM存储单元编写和擦除操作的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 外部 电压 输入 选择 开关电路 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种外部双电压输入选择开关电路,其特征在于,包括参考电压控制单元、电压抬升单元以及一第一NMOS晶体管,其中:所述参考电压控制单元配置为基于一参考电压输出控制电压信号给所述电压抬升单元;所述电压抬升单元连接至所述第一NMOS晶体管的栅极,配置为基于所述控制电压信号输出一栅极电压给所述栅极;所述第一NMOS晶体管的源极连接至所述选择开关电路的输出端,所述第一NMOS晶体管的漏极连接至负电荷泵偏置电压。
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