[发明专利]一种电路制作方法有效
申请号: | 201610403818.7 | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN105848422B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 蒋海英;陈德智 | 申请(专利权)人: | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 |
主分类号: | H05K3/18 | 分类号: | H05K3/18;C25D5/02;C25D7/12;C23C18/20;C23C18/30 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种电路制作方法,包括S1准备载体,载体为添加了界面处理剂后的高分子化合物制成,以在载体表面形成致密薄膜;S2根据需要制作电路的形状在载体上进行选择性辐射照射,从而在载体的表面形成照射区域,照射区域的致密薄膜被破坏;S3采用化学药剂对照射区域进行活化处理,再对照射区域进行金属活化及金属离子还原;S4对照射区域进行电镀或化镀,形成金属电路。该方法通过将界面处理剂添加到高分子化合物中制作载体有利于产品的电镀或化镀形成金属线路,无需使用金属化合物或金属媒介或疏水剂;当制作的电路为天线产品时,该方法制作的载体产品不会影响电子线路的射频性能,且工艺简单,不良率及成本均较低。 | ||
搜索关键词: | 一种 电路 制作方法 | ||
【主权项】:
一种电路制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:准备载体,所述载体为添加了界面处理剂后的高分子化合物制成,以在所述载体表面形成致密薄膜;S2:根据需要制作电路的形状在所述载体上进行选择性辐射照射,从而在所述载体的表面形成照射区域,所述照射区域的致密薄膜被破坏;S3:采用化学药剂对所述照射区域进行活化处理,活化处理后对所述照射区域进行金属活化及金属离子还原;S4:对所述照射区域进行电镀或化镀,形成金属电路;所述高分子化合物为塑料、纤维或橡胶;所示界面处理剂为蜡类、硅酮类或有机硅。
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