[发明专利]一种门极可关断晶闸管低导通维持电路及控制方法

摘要

本发明设计一种门极可关断晶闸管低导通维持电路及控制方法，其特征在于包括比较器U1、控制芯片U2、电流传感器、温度传感器和电流回路，所述比较器U1的输入端连接有电流传感器和基准电压Vref，输出端与控制芯片U2连接，所述电流传感器与电流回路连接，所述控制芯片U2与温度传感器和电流回路连接，所述温度传感器与GTO二极管连接；本发明电路是根据CS驱动控制信号，在控制芯片U2的控制下，通过不同的时序逻辑，依次开通关断MOSFET器件QE、QP、QC、QS，形成电流回路，来实现GTO二极管导通所需的高脉冲电流和导通维持电流，同时该电路还集成了电流传感功能和温度检测功能，进一步实现对GTO二极管注入电流的调节和控制。

主权项

一种门极可关断晶闸管低导通维持电路，其特征在于：包括比较器U1、控制芯片U2、电流传感器（1）、温度传感器（2）和电流回路（3），所述比较器U1的输入端连接有电流传感器（1）和基准电压Vref，输出端与控制芯片U2连接，所述电流传感器（1）与电流回路（3）连接，所述控制芯片U2与温度传感器（2）和电流回路（3）连接，所述温度传感器（2）与GTO二极管（8）连接，所述电流回路（3）包括第一电流回路（4）、第二电流回路（5）、第三电流回路（6）和第四电流回路（7），所述第一电流回路（4）是由电压源V1、MOSFET器件QP、电感L2和MOSFET器件QE组成的回路，所述第二电流回路（5）是由电感L2、MOSFET器件QC、GTO二极管（8）和二极管DP组成的回路，所述第三电流回路（6）是由电压源V1、MOSFET器件QS、电感L1、电阻RS、MOSFET器件QC和GTO二极管（8）组成的回路，所述第四电流回路（7）是由电感L1、电阻RS、MOSFET器件QC、GTO二极管（8）和二极管DS组成的续流回路。