[发明专利]一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法

摘要

本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器，包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述衬底表面的GaAs缓冲层；位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层；位于所述下接触层表面的有源区；位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述上接触层表面、且彼此分隔的上电极金属层，各上电极金属层间设有凹至所述缓冲层的深隔离槽；及位于所述下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；所述光放大器根据各上电极金属层分主波导段，和位于主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一直线分布。通过本发明的光放大器，解决了现有光放大器是分立器件，无法与前级THz QCL同时制备，实现片上集成，而且在使用过程中还需进行光学对准的问题。

主权项

1.一种太赫兹量子级联光放大器，其特征在于，所述太赫兹量子级联光放大器包括：半绝缘GaAs衬底；位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层；位于所述GaAs缓冲层上表面的n型重掺杂下接触层；位于所述n型重掺杂下接触层上表面的有源区；位于所述有源区上表面的n型重掺杂上接触层；位于所述n型重掺杂上接触层上表面、且彼此分隔的上电极金属层，其中，各上电极金属层之间设有凹至GaAs缓冲层的深隔离槽；以及位于所述n型重掺杂下接触层表面及有源区两侧的下电极金属层；其中，所述太赫兹量子级联光放大器根据各上电极金属层分为主波导段，和位于所述主波导段两端、且对称分布的至少两个耦合腔波导段，所述主波导段和耦合腔波导段在水平方向上呈一条直线分布。