[发明专利]一种CL-20/HMX共晶及其复合物的模拟方法

摘要

本发明公开了一种CL‑20/HMX共晶及其复合物的模拟方法，包括如下步骤用材料工作站打开CL‑20/HMX共晶的晶体信息文件，把文件中所有的N‑O单键改为虚双键；建立超包模型，分别沿(001)、(010)、(100)三个晶面处切割超包模型，得到切割模型；建立HTPB分子链，控制粘结剂HTPB的含量在5％以下，将构建好的HTPB分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至HTPB分子链的密度达到理论值；在三个切割模型上部设置一定厚度的真空层，并用压缩后的HTPB分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型；对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟。本发明研究不同切割晶面所得模型的界面性能，方法简单、安全、成本低。

主权项

一种CL‑20/HMX共晶及其复合物的模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，用材料工作站打开CL‑20/HMX共晶的晶体信息文件，把文件中所有的N‑O单键改为虚双键；步骤2，建立超包模型，分别沿(001)、(010)、(100)三个晶面处切割超包模型，得到切割模型；步骤3，建立HTPB分子链，控制粘结剂HTPB分子的含量为4.5％，将构建好的HTPB分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至HTPB分子链的密度达到理论值；步骤4，在步骤2所得切割模型的上部设置真空层，真空层厚度为压缩后HTPB链的高度，随后用压缩后的HTPB分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型；步骤5，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟。