[发明专利]层叠发热体有效
申请号: | 201610404527.X | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN107481953B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 土佐晃文;乾靖彦;三轮要;篠崎洋辅 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够抑制供电路径的发热的层叠发热体。该层叠发热体(1)包括陶瓷基板(3)、电极(4)、加热器(5、7)、端子(11、13、15、17)以及供电路径(19),该层叠发热体的特征在于,在构成供电路径的贯通路中,至少存在1个满足以下条件(1)和条件(2)的贯通路α、β、γ、δ的组合。条件(1):在自表面(3a)侧朝向背面(3b)侧观察陶瓷基板时,贯通路δ位于与贯通路β重叠的位置或位于贯通路β的附近。条件(2):在自表面侧朝向背面侧观察陶瓷基板时,贯通路γ位于贯通路α与贯通路δ之间的位置、或位于与贯通路α重叠的位置、或者位于贯通路α的附近。 | ||
搜索关键词: | 层叠 发热 | ||
【主权项】:
一种层叠发热体,该层叠发热体包括:陶瓷基板,其具有表面和背面,能够在所述表面支承被处理物;电极,其设于所述陶瓷基板,用于吸附所述被处理物;加热器,其设于所述陶瓷基板,用于加热所述被处理物;端子,其安装于所述陶瓷基板的所述背面侧的一端;以及供电路径,通过该供电路径自所述端子向所述加热器供电,该层叠发热体的特征在于,所述供电路径是将设于所述陶瓷基板内的多个导电层和多个贯通路组合而成的,所述多个贯通路包含以下定义的贯通路α、贯通路β、贯通路γ以及贯通路δ,至少存在1个满足以下条件(1)和条件(2)的、贯通路α、贯通路β、贯通路γ以及贯通路δ的组合,贯通路α是将所述加热器与所述多个导电层之一的导电层X连接起来的贯通路,贯通路β和贯通路γ是将所述多个导电层之一的导电层Y与所述导电层X连接起来的贯通路,贯通路δ是将所述多个导电层之一的导电层Z与所述导电层Y连接起来或将所述端子与所述导电层Y连接起来的贯通路,条件(1):在自所述表面侧朝向所述背面侧观察所述陶瓷基板时,所述贯通路δ位于与所述贯通路β重叠的位置或位于所述贯通路β的附近,条件(2):在自所述表面侧朝向所述背面侧观察所述陶瓷基板时,所述贯通路γ位于所述贯通路α与所述贯通路δ之间的位置、或位于与所述贯通路α重叠的位置、或者位于所述贯通路α的附近。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本特殊陶业株式会社,未经日本特殊陶业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610404527.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造