[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201610404966.0 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106252199B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 岩畑翔太;尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制或防止图案的倒塌的基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括：基板保持步骤，通过基板保持单元将在上表面形成有图案的基板保持为水平姿势，液膜形成步骤，形成覆盖整个所述上表面的有机溶剂的液膜，以将在所述上表面存在的处理液置换为有机溶剂的液体，薄膜保持步骤，一边将整个所述上表面的周围保持在有机溶剂蒸气的环境一边使所述基板以第一高旋转速度旋转来使所述有机溶剂的液膜变薄，由此，在所述上表面保持有机溶剂的薄膜，薄膜除去步骤，在所述薄膜保持步骤之后，从所述上表面除去所述薄膜；所述薄膜除去步骤包括使所述基板以第二高旋转速度旋转的高速旋转步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其中，包括：基板保持步骤，通过基板保持单元将在上表面形成有图案的基板保持为水平姿势，液膜形成步骤，形成覆盖整个所述上表面的有机溶剂的液膜，以将在所述上表面存在的处理液置换为有机溶剂的液体，薄膜保持步骤，一边将覆盖整个所述上表面的有机溶剂的液膜的周围保持在有机溶剂蒸气的环境一边使所述基板以第一高旋转速度旋转来使所述有机溶剂的液膜变薄，由此，在所述上表面保持有机溶剂的薄膜，薄膜除去步骤，在所述薄膜保持步骤之后，从所述上表面除去所述薄膜；所述薄膜除去步骤包括使所述基板以第二高旋转速度旋转的高速旋转步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
