[发明专利]一种Li基低介低损耗LTCC材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610405387.8 申请日: 2016-06-07
公开(公告)号: CN106083043B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 苏桦;赖元明;唐晓莉;荆玉兰;张怀武;李元勋 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01B3/12 分类号: H01B3/12;C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 张杨
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于微波电子陶瓷材料及其制造领域,具体涉及一种Li基低介电常数的LTCC材料及其制备方法。该材料按照Li2MoSi1+xO6+2x(‑0.2≤x≤0.2)化学计量,通过固相反应合成,最终得到包含两相的复合陶瓷,主晶相为菱方晶系的Li2MoO4,第二相为六方晶系的SiO2。其制备方法为以Li2CO3,MoO3及SiO2为原料,按照配比称取,通过球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等一系列工艺过程,最终得到低介低损耗的Li基LTCC材料。该LTCC材料具有在低温烧结(≤900℃)条件下低介(≤5.0)低损耗(7137~14895GHz)的特征,在LTCC基板及集成器件中具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 li 基低介低 损耗 ltcc 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种Li基低介低损耗LTCC材料,其特征在于:原料配方为Li2CO3、MoO3和SiO2按照Li2MoSi1+xO6+2x,‑0.2≤x≤0.2,化学计量称量,组成按照摩尔比Li2CO3:MoO3:SiO2=1:1:0.8~1.2,主晶相为菱方晶系的Li2MoO4,第二相为六方晶系的SiO2。
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