[发明专利]半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置、以及这些装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置，其利用在半导体元件上实施微细电极形成，并在半导体元件外部实施贯穿电极，使在配线基板上的载置和半导体装置的积层变得容易。为了解决上述课题，本发明提供一种半导体装置，其具有半导体元件、和与所述半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘及金属配线，所述金属配线与贯穿电极及焊料凸块电连接，其中，在所述半导体元件上形成有第一感光性绝缘层，在所述第一感光性绝缘层上形成有第二感光性绝缘层，所述第一感光性绝缘层及所述第二感光性绝缘层由光固化性树脂组合物形成，所述光固化性树脂组合物含有：具有由下述通式(1)及(2)所表示的重复单元的硅酮高分子化合物、光致产酸剂、溶剂及交联剂，

主权项

一种半导体装置，其具有半导体元件、和与所述半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘及金属配线，所述金属配线与贯穿电极及焊料凸块电连接，所述半导体装置的特征在于，在所述半导体元件上形成有第一感光性绝缘层，并在所述第一感光性绝缘层上形成有第二感光性绝缘层；所述第一感光性绝缘层及所述第二感光性绝缘层，由含有如下化合物的光固化性树脂组合物形成：(A)硅酮高分子化合物，其具有由下述通式(1)所表示的含环氧基成分及由下述通式(2)所表示的含酚羟基成分来作为重复单元，且重量平均分子量为3000～500000，式(1)、(2)中，a、b为正数，R1、R2、R3、R4分别为氢原子或碳原子数1～4的烷基或烷氧基，相互之间可以不同也可以相同；r独立地为0、1或2；R5～R8独立地为氢原子或碳原子数1～10的单价烃基；R9为碳原子数1～10的二价烃基；n为0或1，k为0、1、2中的任一个；R10、R11分别为碳原子数1～4的烷基或烷氧基，相互之间可以不同也可以相同；Z是选自以下中任一个的二价的有机基；X为选自下述式(3)、下述通式(4)中任一个的二价的有机基；式(4)中，R12、R13、R14、R15为相同或不同的碳原子数1～10的单价烃基，m为1～100的正数；所述通式(1)中的环氧基(J)和所述通式(2)中的酚羟基(K)的比率为0.05≤(J)/((J)+(K))≤0.95；(B)光致产酸剂，其根据波长190～500nm的光而分解，并产生酸；(C)溶剂；(D)选自以下中的一种或两种以上的化合物：由甲醛或甲醛‑醇改性后的氨基缩合物、在一个分子中平均具有两个以上的羟甲基或烷氧基羟甲基的酚类化合物、以及将多元酚的羟基以缩水甘油基取代而成的化合物；以及，(E)选自具有三个以上羟基的多元酚中的一种或两种以上的化合物。