[发明专利]一种硅晶圆多步变参数粗磨削方法在审
申请号: | 201610405905.6 | 申请日: | 2016-06-09 |
公开(公告)号: | CN106041660A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 秦飞;孙敬龙;陈沛;安彤 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | B24B7/22 | 分类号: | B24B7/22 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种硅晶圆多步变参数粗磨削方法,属于硅晶圆磨削加工领域。本发明包括下列步骤:将磨削力产生分为两个机制:摩擦作用力和切屑形成作用力;根据赫兹接触理论和切屑形成理论建立了磨削力模型Fnt;实验测量了9种磨削工艺下硅晶圆的亚表面裂纹深度h,将裂纹深度与总的磨削力Fnt的三分之二次幂进行线性拟合,得到裂纹深度的预测模型h=0.223(Fnt)2/3+8.57。根据裂纹深度预测值,提出了硅晶圆多步变参数粗磨削方法。此方法可保证磨削效率和提高硅晶圆的磨削质量,同时降低时间和成本消耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅晶圆多步变 参数 磨削 方法 | ||
【主权项】:
一种硅晶圆多步变参数粗磨削方法,其特征在于分为两步:第一步,砂轮进给速率为f1=100‑120μm/min,砂轮转速为Ns1=4800‑5000r/min,晶圆转速为Nw1=200‑220r/min,第二步,砂轮进给速率为f2=20‑24μm/min,砂轮转速为Ns2=5000r/min,晶圆转速为Nw2=200r/min,裂纹深度9‑11μm;两步磨削去除材料总厚度d=d1+d2;第一步去除材料厚度d1,第二步去除材料厚度d2,所述d2=18‑22μm,d1=d‑d2。
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