[发明专利]大高宽比纳米级金属结构的制作方法

摘要

本发明提供一种大高宽比纳米级金属结构的制作方法，所述方法包括：利用电子束蒸发金属材料，以在特定参数的单晶硅衬底上金属薄膜图案；将表面形成有金属薄膜图案的单晶硅衬底浸在混合液中进行催化腐蚀一段时间，以在单晶硅衬底上形成大高宽比的深硅槽；以深硅槽底部的金属薄膜为导电电镀种子层，将具有深硅槽的单晶硅衬底浸在电镀液中进行电镀，以增加金属薄膜的厚度至指定高度，以形成指定高宽比的金属结构；将形成有指定高宽比的金属结构的单晶硅衬底浸在混合液中进行各向同性湿法腐蚀一段时间，以去除所述金属结构之间的单晶硅。本发明的制作方法制作的纳米级金属结构的高宽比大。

主权项

1.一种大高宽比纳米级金属结构的制作方法，其特征在于，包括：在特定参数的单晶硅衬底上旋涂光刻胶，并对所述光刻胶进行电子束曝光与显影，以在所述光刻胶中形成光栅掩模槽；利用电子束蒸发金属材料，以在所述光栅掩模槽中形成金属薄膜；去除所述单晶硅衬底上残留的光刻胶，以在所述单晶硅衬底表面形成金属薄膜图案；以所述金属薄膜作为催化剂，将表面形成有金属薄膜图案的单晶硅衬底浸在由氢氟酸、双氧水和去离子水组成的混合液中进行催化腐蚀一段时间，以在所述单晶硅衬底上形成大高宽比的深硅槽；以所述深硅槽底部的所述金属薄膜为导电电镀种子层，将具有深硅槽的单晶硅衬底浸在电镀液中进行电镀，以增加所述金属薄膜的厚度至指定高度，以形成指定高宽比的金属结构；将形成有指定高宽比的金属结构的单晶硅衬底浸在由氢氟酸、硝酸和醋酸组成的混合液中进行各向同性湿法腐蚀一段时间，以去除所述金属结构之间的单晶硅；所述特定参数包括单晶硅的晶向、掺杂类型和电阻率；所述光刻胶为PMMA光刻胶，所述PMMA光刻胶的厚度为200nm。